Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 3200 МГц LRDIMM CL22 M386AAG40AM3-CWEZY

Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 3200 МГц LRDIMM CL22 M386AAG40AM3-CWEZY 6855200₽
  • тип: DDR4
  • форм-фактор: LRDIMM
  • количество модулей в комплекте: 1 шт.
  • объем одного модуля: 128 ГБ
  • тактовая частота: 3200 МГц
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип
DDR4
форм-фактор
LRDIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
128 ГБ
тактовая частота
3200 МГц
пропускная способность
PC25600
cl
22
количество чипов каждого модуля
36
напряжение питания
1.2 В
количество рангов
4
количество контактов
288
упаковка чипов
двусторонняя
особенности
ECC, Registered, серверная, ECC, Registered, LRDIMM
совместимость
для да
срок службы
12 мес., Использовать при температуре не ниже -10 градусов
гарантийный срок
1 г., Гарантия на аккумулятор — 6 месяцев

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 3 Patriot Viper 3
3 010
Patriot Viper 3 Patriot Viper 3
3 101
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
6 931
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 420
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 010
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
4 104
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
3 238
Patriot Signature Patriot Signature
3 010
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 785
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 977

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC
100 448
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
2 146
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
19 380
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
4 499
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 230
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A2K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A2K43EB1-CWED0
16 648
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
3 100
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
28 655
Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, CL40, M425R1GB4BB0-CQK0L OEM Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, C...
11 500
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
6 416
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-...
14 197
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
27 692
Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM для ноутбука или MacBook Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM для ноутбука или MacBook
3 300
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 537
Модуль памяти для ноутбука SODIMM DDR4 16GB PC21300 2666 МГц Samsung M471A2K43CB1-CTD Модуль памяти для ноутбука SODIMM DDR4 16GB PC21300 2666 МГц Samsung M471A2K4...
18 490

Избранное0