Модуль памяти DDR3 4GB Kingston KVR16N11S8/4WP 1600MHz CL11 1.5V 1R 4Gbit
- тип памяти: DDR3
- форм-фактор памяти: DIMM
- объем одного модуля: 4
- количество модулей в комплекте: 1
- суммарный объем комплекта: 4
В избранное
О товаре
Модуль памяти DDR3 4GB DDR3, DIMM, 1х4 ГБ, 1600 МГц, 12800 Мб/с , 11 CL, 1.5 В
Читать полностьюХарактеристики
тип памяти
DDR3
форм-фактор памяти
DIMM
объем одного модуля
4
количество модулей в комплекте
1
суммарный объем комплекта
4
эффективная частота
1600
пропускная способность
12800
поддержка ecc
Нет
буферизованная (регистровая)
Нет
низкопрофильная
Есть
количество чипов на модуле
8
компоновка чипов на модуле
Односторонняя
количество контактов памяти
240
количество ранков
1
cas latency (cl)
11
ras to cas delay (trcd)
11
row precharge delay (trp)
11
напряжение питания
1.5
максимальная выделяемая мощность
1.5
нормальная операционная температура
50
расширенная операционная температура (tcase)
85
радиатор
Нет
xmp совместимая память
Нет
подсветка элементов платы
Нет
Отзывы
Оставить отзыв о товаре
Модуль памяти DDR3 4GB Kingston KVR16N11S8/4WP 1600MHz CL11 1.5V 1R 4Gbit
Характеристики