Модуль памяти DDR3 4GB Kingston KVR16N11S8H/4WP 1600MHz CL11 1.5V 1R 4Gbit
- тип памяти: DDR3
- форм-фактор памяти: DIMM
- объем одного модуля: 4
- количество модулей в комплекте: 1
- суммарный объем комплекта: 4
В избранное
О товаре
Модуль памяти DDR3 4GB DDR3, DIMM, 1х4 ГБ, 1333 МГц, 10600 Мб/с , 9 CL, 1.5 В, RTL
Читать полностьюХарактеристики
тип памяти
DDR3
форм-фактор памяти
DIMM
объем одного модуля
4
количество модулей в комплекте
1
суммарный объем комплекта
4
эффективная частота
1600
пропускная способность
12800
поддержка ecc
Нет
буферизованная (регистровая)
Нет
количество чипов на модуле
8
компоновка чипов на модуле
Односторонняя
количество контактов памяти
240
количество ранков
1
cas latency (cl)
11
ras to cas delay (trcd)
11
row precharge delay (trp)
11
activate to precharge delay (tras)
27
напряжение питания
1.5
максимальная выделяемая мощность
1.5
нормальная операционная температура
50
расширенная операционная температура (tcase)
85
высота памяти
30
радиатор
Нет
xmp совместимая память
Нет
подсветка элементов платы
Нет
Отзывы
Оставить отзыв о товаре
Модуль памяти DDR3 4GB Kingston KVR16N11S8H/4WP 1600MHz CL11 1.5V 1R 4Gbit
Характеристики