Модуль памяти DDR4 16GB Samsung M378A2K43EB1-CWE PC4-25600 3200MHz CL22 1.2V

Модуль памяти DDR4 16GB Samsung M378A2K43EB1-CWE PC4-25600 3200MHz CL22 12V 362800₽
  • тип памяти: DDR4
  • форм-фактор памяти: UDIMM
  • количество модулей в комплекте: 1
  • суммарный объем комплекта: 16
  • эффективная частота: 3200
Все характеристики

О товаре

Модуль памяти DDR4 16GB DDR4, UDIMM, 1х16 ГБ, 3200 МГц, 25600 Мб/с , 22 CL, 1.2 В

Читать полностью

Характеристики

тип памяти
DDR4
форм-фактор памяти
UDIMM
количество модулей в комплекте
1
суммарный объем комплекта
16
эффективная частота
3200
пропускная способность
25600
поддержка ecc
Нет
буферизованная (регистровая)
Нет
низкопрофильная
Нет
количество чипов на модуле
16
компоновка чипов на модуле
Двусторонняя
количество контактов памяти
288
количество ранков
2
cas latency (cl)
22
напряжение питания
1.2
максимальная выделяемая мощность
6
нормальная операционная температура
85
расширенная операционная температура (tcase)
95
радиатор
Нет
xmp совместимая память
Нет
подсветка элементов платы
Нет

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
9 348
Patriot Viper 3 Patriot Viper 3
3 101
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
3 420
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
6 931
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 010
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 420
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
8 618
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 329
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 785
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
4 150

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
2 146
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0...
3 200
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
18 245
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY
67 809
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
8 000
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
38 400
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
11 100
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK
59 998
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
6 416
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-...
14 197
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE
12 834
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM) Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB...
13 025
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 537
Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM
17 500

Избранное0