Модуль памяти DDR4 4GB Silicon Power SP004GBLFU266N02 PC4-21300 2666MHz CL19 512Mx16 SR 1.2V
- тип памяти: DDR4
- форм-фактор памяти: DIMM
- объем одного модуля: 4
- количество модулей в комплекте: 1
- суммарный объем комплекта: 4
В избранное
О товаре
Модуль памяти DDR4 4GB DDR4, UDIMM, 1х4 ГБ, 2666 МГц, 21300 Мб/с , 19 CL, 1.2 В
Читать полностьюХарактеристики
тип памяти
DDR4
форм-фактор памяти
DIMM
объем одного модуля
4
количество модулей в комплекте
1
суммарный объем комплекта
4
эффективная частота
2666
пропускная способность
21300
поддержка ecc
Нет
буферизованная (регистровая)
Нет
количество контактов памяти
288
количество ранков
1
cas latency (cl)
19
напряжение питания
1.2
максимальная выделяемая мощность
1.5
нормальная операционная температура
50
расширенная операционная температура (tcase)
85
высота памяти
31
радиатор
Нет
xmp совместимая память
Нет
подсветка элементов платы
Нет
Оставить отзыв о товаре
Модуль памяти DDR4 4GB Silicon Power SP004GBLFU266N02 PC4-21300 2666MHz CL19 512Mx16 SR 1.2V
Характеристики