Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M378A1K43EB2-CVF PC4-23400 2933MHz CL21 1.2V

Модуль памяти DDR4 8GB Samsung M378A1K43EB2-CVF PC4-23400 2933MHz CL21 12V 349400₽
  • тип памяти: DDR4
  • форм-фактор памяти: DIMM
  • количество модулей в комплекте: 1
  • суммарный объем комплекта: 8
  • эффективная частота: 2933
Все характеристики

О товаре

Модуль памяти DDR4 8GB DDR4, DIMM, 1х8 ГБ, 2933 МГц, 23400 Мб/с , 21 CL, 1.2 В

Читать полностью

Характеристики

тип памяти
DDR4
форм-фактор памяти
DIMM
количество модулей в комплекте
1
суммарный объем комплекта
8
эффективная частота
2933
пропускная способность
23400
поддержка ecc
Нет
буферизованная (регистровая)
Нет
низкопрофильная
Нет
количество чипов на модуле
8
компоновка чипов на модуле
Односторонняя
количество контактов памяти
288
количество ранков
1
cas latency (cl)
21
ras to cas delay (trcd)
21
row precharge delay (trp)
21
activate to precharge delay (tras)
44
напряжение питания
1.2
нормальная операционная температура
85
расширенная операционная температура (tcase)
95
радиатор
Нет

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 241
Kingston HyperX Fury White Kingston HyperX Fury White
9 986
Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
9 348
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
4 241
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
3 329
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 010
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 058
Patriot Signature Patriot Signature
3 101
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 977

Модули памяти Samsung

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 1600MHz (PC3L-12800), 1.35V, 204-Pin, Retail Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 160...
6 416
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M378A5244CB0-CRC Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M378A5244CB0-CRC
7 217
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
6 200
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY
67 809
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
4 499
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
8 000
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
3 440
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
38 400
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
13 639
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43BB1-CRC Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43BB1-CRC
16 000
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-...
14 197
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
27 692
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
27 692
Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM
56 455
Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 (M471A1K43EB1-CWE) Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 (M471A1K43EB1-CWE)
9 447

Избранное0