Модуль памяти SODIMM DDR4 32GB Samsung M471A4G43AB1-CWE PC4-25600 3200MHz CL19 2R 260-pin 1.2V

Модуль памяти SODIMM DDR4 32GB Samsung M471A4G43AB1-CWE PC4-25600 3200MHz CL19 2R 260-pin 12V 781700₽
  • тип памяти: DDR4
  • форм-фактор памяти: SODIMM
  • количество модулей в комплекте: 1
  • суммарный объем комплекта: 32
  • эффективная частота: 3200
Все характеристики

О товаре

Модуль памяти SODIMM DDR4 32GB DDR4, SODIMM, 1х32 ГБ, 3200 МГц, 25600 Мб/с , 19 CL, 1.2 В

Читать полностью

Характеристики

тип памяти
DDR4
форм-фактор памяти
SODIMM
количество модулей в комплекте
1
суммарный объем комплекта
32
эффективная частота
3200
пропускная способность
25600
поддержка ecc
Нет
буферизованная (регистровая)
Нет
низкопрофильная
Нет
количество чипов на модуле
16
компоновка чипов на модуле
Двусторонняя
количество контактов памяти
260
количество ранков
2
cas latency (cl)
19
напряжение питания
1.2
нормальная операционная температура
85
расширенная операционная температура (tcase)
95
радиатор
Нет

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
10 534
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
9 348
Patriot Viper 3 Patriot Viper 3
3 101
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Foxline Foxline
3 146
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
3 238
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 192

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
4 499
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0
11 390
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
3 440
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
38 400
Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-12800 Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-1...
2 887
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
11 100
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43BB1-CRC Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43BB1-CRC
16 000
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
6 416
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
27 692
Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM для ноутбука или MacBook Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM для ноутбука или MacBook
3 300
Модуль памяти для ноутбука SODIMM DDR4 16GB PC21300 2666 МГц Samsung M471A2K43CB1-CTD Модуль памяти для ноутбука SODIMM DDR4 16GB PC21300 2666 МГц Samsung M471A2K4...
18 490
Модуль памяти Samsung DDR4, 8ГБ, 2666МГц, PC4-21300 Модуль памяти Samsung DDR4, 8ГБ, 2666МГц, PC4-21300
14 197
Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 (M471A1K43EB1-CWE) Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 (M471A1K43EB1-CWE)
9 447
Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE) Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE)
182 544

Избранное0