Твердотельный накопитель Transcend 512 ГБ M.2 TS512GMTE110S с радиатором
- линейка: MTE110
- емкость: 512 ГБ
- тип флэш-памяти: TLC 3D NAND
- контроллер: Silicon Motion
- назначение: для ноутбука и настольного компьютера
Все предложения
В избранное
Характеристики
линейка
MTE110
емкость
512 ГБ
тип флэш-памяти
TLC 3D NAND
контроллер
Silicon Motion
назначение
для ноутбука и настольного компьютера
форм-фактор
M.2 2280
интерфейсы
PCI-E
разъем
M.2
тип разъема m.2
2280, M
тип pci-e
PCI-E 3.0 x4
макс. скорость интерфейса
1700 МБ/с
скорость чтения
1700 МБ/с
скорость записи
1400 МБ/с
скорость случайной записи (блоки по 4 кб)
250000 IOPS
время наработки на отказ
2000000 ч
суммарное число записываемых байтов (tbw)
200 ТБ
поддержка технологий
NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, S.M.A.R.T., Расширенный сбор мусора, Технология LDPC (проверка четности с низкой плотностью)
макс. рабочая температура
70 °C
потребляемая мощность
3.3 Вт
высота
3.58 мм
длина
80 мм
ширина
22 мм
вес
8 г
дополнительная информация
Скорость случайного чтения (блоки по 4 КБ) (макс) - 160000 операций ввода/ вывода в секунду.
гарантийный срок
1 г., При соблюдении условий эксплуатации, указанных производителем.
Оставить отзыв о товаре
Твердотельный накопитель Transcend 512 ГБ M.2 TS512GMTE110S с радиатором
Характеристики