Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M393B5170GB0-CH9Q9

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M393B5170GB0-CH9Q9 974000₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR3
  • объем одного модуля: 4 ГБ
  • тактовая частота: 1333 МГц
  • форм-фактор: DIMM
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR3
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
1333 МГц
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
9
особенности
ECC, Registered
пропускная способность
PC10600
trcd
9
trp
9
tras
36
напряжение питания
1.5 В
количество рангов
2
количество контактов
240

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
9 348
Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
4 241
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
4 241
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
5 107
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
6 931
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
8 299
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 192
Patriot Viper Blackout Patriot Viper Blackout
9 211
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 101

Модули памяти Samsung

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 1600MHz (PC3L-12800), 1.35V, 204-Pin, Retail Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 160...
5 457
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
18 245
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
12 180
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
20 970
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0
10 725
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 100
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
17 700
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
5 073
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK
61 998
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
5 457
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
23 348
Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M
18 980
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
24 067
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
24 067

Избранное0