Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-CF8
- производитель: Samsung
- тип: DDR3
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 1066 МГц
- форм-фактор: SODIMM
Все предложения
В избранное
Характеристики
производитель
Samsung
тип
DDR3
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
1066 МГц
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
особенности
Unregistered
пропускная способность
PC8500
количество чипов каждого модуля
16
напряжение питания
1.5 В
количество рангов
2
количество контактов
204
упаковка чипов
двусторонняя
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-CF8
Характеристики