Оперативная память Samsung 512 МБ DDR2 667 МГц DIMM CL5 M378T6464QZ3-CE6

Оперативная память Samsung 512 МБ DDR2 667 МГц DIMM CL5 M378T6464QZ3-CE6 122200₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR2
  • объем одного модуля: 0.5 ГБ
  • тактовая частота: 667 МГц
  • форм-фактор: DIMM
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR2
объем одного модуля
0.5 ГБ
тактовая частота
667 МГц
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
5
особенности
Unregistered
пропускная способность
PC5300
напряжение питания
1.8 В
количество рангов
1
количество контактов
240

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Kingston HyperX Fury White Kingston HyperX Fury White
9 986
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 469
Foxline Foxline
3 146
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 192
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
7 250
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
3 238
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 420
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 329
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 977

Модули памяти Samsung

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 1600MHz (PC3L-12800), 1.35V, 204-Pin, Retail Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 160...
6 416
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC
100 448
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY
67 809
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
19 380
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
4 499
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
8 000
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0
11 515
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
40 400
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-...
14 197
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
27 692
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM) Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB...
13 100
Модуль памяти Samsung DDR4, 8ГБ, 2666МГц, PC4-21300 Модуль памяти Samsung DDR4, 8ГБ, 2666МГц, PC4-21300
14 197
Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM
17 500
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
27 692

Избранное0