Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A5244CB0-CTD
- производитель: Samsung
- тип: DDR4
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 2666 МГц
- форм-фактор: SODIMM
Все предложения
В избранное
Характеристики
производитель
Samsung
тип
DDR4
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
2666 МГц
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
19
особенности
Unregistered, XMP
пропускная способность
PC21300
trcd
19
trp
19
tras
32
количество чипов каждого модуля
4
напряжение питания
1.2 В
количество рангов
1
количество контактов
260
упаковка чипов
односторонняя
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A5244CB0-CTD
Характеристики