Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL2.5 M312L2828ET0-CB0
- производитель: Samsung
- тип: DDR
- объем одного модуля: 1 ГБ
- тактовая частота: 266 МГц
- форм-фактор: DIMM
Все предложения
В избранное
Характеристики
производитель
Samsung
тип
DDR
объем одного модуля
1 ГБ
тактовая частота
266 МГц
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
2.5
особенности
ECC, Registered
пропускная способность
PC2100
напряжение питания
2.5 В
количество контактов
184
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL2.5 M312L2828ET0-CB0
Характеристики
