Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 533 МГц DIMM CL3 M391T2953BZ0-CD5

Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 533 МГц DIMM CL3 M391T2953BZ0-CD5 1257500₽
  • тип: DDR2
  • форм-фактор: DIMM
  • количество модулей в комплекте: 1
  • объем одного модуля: 1 ГБ
  • тактовая частота: 533 МГц
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип
DDR2
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1
объем одного модуля
1 ГБ
тактовая частота
533 МГц
пропускная способность
PC4200
cl
3
количество чипов каждого модуля
8
напряжение питания
1.8 В
количество рангов
1
количество контактов
240
упаковка чипов
односторонняя
особенности
ECC

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 3 Patriot Viper 3
3 010
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Foxline Foxline
3 146
Patriot Signature Patriot Signature
3 192
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 420
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
7 114
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 329
Patriot Viper Blackout Patriot Viper Blackout
9 211

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
20 970
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0
10 725
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 100
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A2K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A2K43EB1-CWED0
72 498
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
40 400
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
17 700
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
5 073
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
11 100
Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
3 600
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15
12 108
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
5 457
Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM
46 600
Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE) Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE)
267 149

Избранное0