Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7

Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7 344000₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR2
  • объем одного модуля: 2 ГБ
  • тактовая частота: 800 МГц
  • форм-фактор: SODIMM
Все характеристики

3 440

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR2
объем одного модуля
2 ГБ
тактовая частота
800 МГц
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
6
особенности
Unregistered
пропускная способность
PC6400
напряжение питания
1.8 В
количество рангов
2
количество контактов
200

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
9 348
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Patriot Signature Patriot Signature
3 466
Foxline Foxline
3 146
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
3 329
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
3 420
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 192
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 384
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
8 618

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC
100 448
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
12 180
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
5 200
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
2 841
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
5 073
Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-12800 Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-1...
3 853
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK
61 998
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
24 906
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
5 457
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE
11 241
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 520
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
24 067
Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC
8 000

Избранное0