Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 SODIMM CL17 M471A5244CB0-CRC

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 SODIMM CL17 M471A5244CB0-CRC 260000₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR4
  • объем одного модуля: 4 ГБ
  • тактовая частота: 2400 МГц
  • форм-фактор: SODIMM
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR4
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
2400 МГц
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
17
особенности
Unregistered
пропускная способность
PC19200
trcd
17
trp
17
tras
32
количество чипов каждого модуля
4
напряжение питания
1.2 В
количество рангов
1
количество контактов
260
упаковка чипов
односторонняя

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 469
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 192
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
7 250
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
8 299
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
4 651
Patriot Signature Patriot Signature
2 964
Patriot Viper Blackout Patriot Viper Blackout
9 211
Crucial Crucial
8 071

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC
100 448
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A2K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A2K43EB1-CWED0
64 998
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO
29 900
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
9 500
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
40 400

Избранное0