Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 SP004GBLFU266N02
- производитель: Silicon Power
- тип: DDR4
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 2666 МГц
- форм-фактор: DIMM
Все предложения
В избранное
Характеристики
производитель
Silicon Power
тип
DDR4
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
2666 МГц
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
19
особенности
Unregistered
пропускная способность
PC21300
напряжение питания
1.2 В
количество контактов
288
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 SP004GBLFU266N02
Характеристики
