Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 SODIMM CL19 SP004GBSFU266N02
- тип: DDR4
- форм-фактор: SODIMM
- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 2666 МГц
Все предложения
В избранное
Характеристики
тип
DDR4
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
2666 МГц
пропускная способность
PC21300
cl
19
trcd
19
trp
19
tras
43
напряжение питания
1.2 В
количество контактов
260
особенности
Unregistered, NON-ECC
дополнительная информация
1 шт
срок службы
3 г.
гарантийный срок
1 г.
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 SODIMM CL19 SP004GBSFU266N02
Характеристики