Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM)

Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 11 V M425R1GB4BB0-CWM 1922500₽
  • тип: DDR5
  • форм-фактор: SODIMM
  • количество модулей в комплекте: 1 шт.
  • объем одного модуля: 8 ГБ
  • тактовая частота: 5600 МГц
Все характеристики

19 225

Характеристики

тип
DDR5
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
8 ГБ
тактовая частота
5600 МГц
пропускная способность
PC44800
cl
40
количество чипов каждого модуля
4
напряжение питания
1.1 В
количество рангов
1
упаковка чипов
односторонняя
гарантийный срок
1 г.

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
10 534
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 469
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 739
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 010
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 420
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
7 524
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 785
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
4 150
Crucial Crucial
8 071
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 977

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0...
4 570
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 100
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
2 841
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
40 400
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
17 700
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
5 073
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK
61 998
Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
3 600
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
23 348
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
24 067
Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE) Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE)
267 149
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
24 067

Избранное0