Оперативная память Samsung Basic 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL21 M378A2G43MX3-CWE

Оперативная память Samsung Basic 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL21 M378A2G43MX3-CWE 365000₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR4
  • объем одного модуля: 16 ГБ
  • тактовая частота: 3200 МГц
  • форм-фактор: DIMM
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR4
объем одного модуля
16 ГБ
тактовая частота
3200 МГц
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
особенности
Registered
пропускная способность
PC25600
напряжение питания
1.2 В
количество контактов
288

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
10 534
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 469
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
4 013
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 010
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
2 736
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 384
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
2 918
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 192
Crucial Crucial
8 071

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
2 688
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
20 970
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0
10 725
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
40 400
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
17 700
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB
8 000
Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
3 600
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
23 348
Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 year, OEM (M425R4GA3BB0-CQK) Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 yea...
28 511
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 520
Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM
46 600
Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC
8 000
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
24 067

Избранное0