Память Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB PC4-2133P DDR4 PC4-17000R ECC Registered RDIMM

Память Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB PC4-2133P DDR4 PC4-17000R ECC Registered RDIMM 1870000₽
  • тип: DDR4
  • форм-фактор: DIMM
  • количество модулей в комплекте: 1
  • объем одного модуля: 16 ГБ
  • тактовая частота: 2133 МГц
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип
DDR4
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1
объем одного модуля
16 ГБ
тактовая частота
2133 МГц
пропускная способность
PC17000
cl
15
trcd
15
trp
15
количество чипов каждого модуля
36
напряжение питания
1.2 В
количество рангов
2
количество контактов
288
упаковка чипов
двусторонняя
особенности
ECC, буферизованная (Registered)

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Infortrend Infortrend
8 254
Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
9 348
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Foxline Foxline
3 146
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
6 612
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 010
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
7 250
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Crucial Crucial
8 071

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY
67 809
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
19 380
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
8 000
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0 Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-C...
29 459
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
3 440
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A2K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A2K43EB1-CWED0
16 648
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
3 100
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-...
14 197
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
27 692
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM) Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB...
13 100
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 537
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
27 692
Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM
17 500
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
27 692

Избранное0