Память TESLA DDR3 DIMM 4Гб, 1600MHz/CL11 (TSLD3-1600-C11-4G)
- тип: DDR3
- форм-фактор: DIMM
- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 1600 МГц
Все предложения
В избранное
Характеристики
тип
DDR3
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
1600 МГц
пропускная способность
PC12800
cl
11
напряжение питания
1.5 В
количество контактов
240
дополнительная информация
Retail
срок службы
10 лет
гарантийный срок
3 г.
Оставить отзыв о товаре
Память TESLA DDR3 DIMM 4Гб, 1600MHz/CL11 (TSLD3-1600-C11-4G)
Характеристики