Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B5273DH0-CK0

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B5273DH0-CK0 442000₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR3
  • объем одного модуля: 4 ГБ
  • тактовая частота: 1600 МГц
  • форм-фактор: DIMM
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR3
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
1600 МГц
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
11
особенности
ECC, Unregistered
пропускная способность
PC12800
trcd
11
trp
11
напряжение питания
1.5 В
количество рангов
2
количество контактов
240

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 241
Patriot Viper 3 Patriot Viper 3
3 010
Infortrend Infortrend
8 254
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 469
Foxline Foxline
3 146
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
5 107
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
4 013
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
6 931
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 010
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 192

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
2 146
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
19 380
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
8 000
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43BB1-CRC Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43BB1-CRC
16 000
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
28 655
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-...
14 197
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
27 692
Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M
9 070
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 537
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
27 692
Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 (M471A1K43EB1-CWE) Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 (M471A1K43EB1-CWE)
9 447
Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM
17 500
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
27 692

Избранное0