Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (M471A1K43DB1-CTD)

Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 M471A1K43DB1-CTD 290000₽
  • тип памяти: DDR4
  • форм-фактор: SODIMM 260-контактный
  • тактовая частота: 2666 МГц
  • пропускная способность: 21300 МБ/с
  • объем: 1 модуль 8 ГБ
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип памяти
DDR4
форм-фактор
SODIMM 260-контактный
тактовая частота
2666 МГц
пропускная способность
21300 МБ/с
объем
1 модуль 8 ГБ
поддержка ecc
нет
буферизованная (registered)
нет
низкопрофильная (low profile)
нет
cas latency (cl)
19
ras to cas delay (trcd)
19
row precharge delay (trp)
19
количество чипов каждого модуля
8, двусторонняя упаковка
напряжение питания
1.2 В
количество ранков
1

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
4 241
Patriot Signature Patriot Signature
3 466
Foxline Foxline
3 146
Foxline Foxline
3 146
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
3 420
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 192
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
7 524
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 329
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 977

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7 Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7
3 440
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
18 245
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
8 000
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0
11 390
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO
55 100
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
3 100
Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, CL40, M425R1GB4BB0-CQK0L OEM Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, C...
11 500
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-...
14 197
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
27 692
Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM для ноутбука или MacBook Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM для ноутбука или MacBook
3 300
Оперативная память DDR3L 16 гб Samsung комплект два модуля 8 + 8 гб 1600 мГц 12800 мбс SO-DIMM Оперативная память DDR3L 16 гб Samsung комплект два модуля 8 + 8 гб 1600 мГц ...
7 200
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
27 692
Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM
17 500

Избранное0