Твердотельный накопитель Samsung 500 ГБ M.2 MZ-V7E500BW
- емкость: 500 ГБ
- тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC
- контроллер: Samsung Phoenix
- назначение: для ноутбука и настольного компьютера, игровой
- форм-фактор: M.2 2280
Все предложения
В избранное
Характеристики
емкость
500 ГБ
тип флэш-памяти
V-NAND 3-bit MLC
контроллер
Samsung Phoenix
назначение
для ноутбука и настольного компьютера, игровой
форм-фактор
M.2 2280
интерфейсы
PCI-E
разъем
M.2
тип pci-e
PCI-E 3.0 x4
объем буфера
512 МБ
скорость чтения
3400 МБ/с
скорость записи
2300 МБ/с
скорость случайной записи (блоки по 4 кб)
450000 IOPS
ударостойкость при работе
1500 G
ударостойкость при хранении
1500 G
время наработки на отказ
1500000 ч
суммарное число записываемых байтов (tbw)
300 ТБ
поддержка технологий
NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных
макс. рабочая температура
70 °C
потребляемая мощность
5.7 Вт
высота
2.38 мм
длина
80 мм
ширина
22 мм
вес
8 г
Отзывы
Оставить отзыв о товаре
Твердотельный накопитель Samsung 500 ГБ M.2 MZ-V7E500BW
Характеристики