Твердотельный накопитель Samsung 1 ТБ SATA MZ-N6E1T0BW
- линейка: Samsung EVO
- емкость: 1 ТБ
- тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC
- контроллер: Samsung MJX
- назначение: внешний, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, игровой
Все предложения
В избранное
Характеристики
линейка
Samsung EVO
емкость
1 ТБ
тип флэш-памяти
V-NAND 3-bit MLC
контроллер
Samsung MJX
назначение
внешний, для ноутбука и настольного компьютера, для сервера, игровой
форм-фактор
M.2 2280
интерфейсы
SATA 6Gb/s
разъем
M.2
тип разъема m.2
2280, B&M
макс. скорость интерфейса
600 МБ/с
объем буфера
1024 МБ
скорость чтения
550 МБ/с
скорость записи
520 МБ/с
скорость случайной записи (блоки по 4 кб)
88000 IOPS
ударостойкость при работе
1500 G
ударостойкость при хранении
1500 G
время наработки на отказ
1500000 ч
суммарное число записываемых байтов (tbw)
600 ТБ
поддержка технологий
TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных
макс. рабочая температура
70 °C
потребляемая мощность
3 Вт
высота
2.38 мм
длина
80.15 мм
ширина
22.15 мм
вес
8 г
гарантийный срок
12 мес.
Оставить отзыв о товаре
![SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus (MZ-V9S1T0BW), 1Tb M.2, PCI-E 5.0 x2/4.0х4, V-NAND TLC [R/W - 7150/6300 MB/s]](https://avatars.mds.yandex.net/get-mpic/11370192/2a0000019464946d93d4f98da11dc531a756/9)
Твердотельный накопитель Samsung 1 ТБ SATA MZ-N6E1T0BW
Характеристики