Оперативная память Samsung Basic (8 ГБ x 2 шт.) DDR3 1600 МГц SODIMM

Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ x 2 шт DDR3 1600 МГц SODIMM 260000₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR3
  • объем одного модуля: 8 ГБ
  • тактовая частота: 1600 МГц
  • форм-фактор: SODIMM
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR3
объем одного модуля
8 ГБ
тактовая частота
1600 МГц
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
2 шт.
особенности
игровая, для imac, для macbook, для моноблока, для ноутбука
линейка
Basic
пропускная способность
PC12800
количество чипов каждого модуля
8
напряжение питания
1.5 В
количество рангов
2
количество контактов
204
упаковка чипов
двусторонняя
совместимость
intel, amd
дополнительная информация
я на связи. есть вопросы задавайте, отвечу быстро!

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Infortrend Infortrend
8 254
Kingston HyperX Fury White Kingston HyperX Fury White
9 986
Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
9 348
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 469
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 739
Patriot Signature Patriot Signature
3 192
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
4 013
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Patriot Viper Blackout Patriot Viper Blackout
9 211
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 101

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
2 688
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0...
4 570
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0...
3 440
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
5 200
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0 Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-C...
54 234
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
2 841
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A2K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A2K43EB1-CWED0
72 498
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
11 100
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB
8 000
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK
61 998
Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
3 600
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
24 906
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE
11 241
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
24 067
Оперативная память DDR2 4Gb 800 Mhz Samsung M470T5267AZ3-CF7 PC2-6400 So-Dimm для ноутбука Оперативная память DDR2 4Gb 800 Mhz Samsung M470T5267AZ3-CF7 PC2-6400 So-Dimm...
10 100

Избранное0