Оперативная память Samsung 16GB DDR4 (M378A2K43EB1-CWE)

Оперативная память Samsung 16GB DDR4 M378A2K43EB1-CWE 409000₽

О товаре

Основные характеристики- Назначение: сервер - Объем модуля памяти: 16 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 3200 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 25600 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: двусторонняя - Ранг модуля памяти: Dual - Количество чипов модуля: 16 Тайминги- CAS Latency (CL): CL22 Температура- Нормальная операционная температура (Tcase): 85 ° - Расширенная операционная температура (Tcase): 95 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Количество контактов: 288 Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Ширина: 13.34 см

Читать полностью

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Infortrend Infortrend
8 254
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 469
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 739
Foxline Foxline
3 146
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
4 013
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
3 238
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
4 378
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 384
Patriot Signature Patriot Signature
2 964
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
4 150

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7 Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7
3 440
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY
67 809
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
19 380
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
8 000
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0
11 390
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0 Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-C...
49 164
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
3 440
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
13 639
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
28 655
Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M
9 070
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 537
Модуль памяти Samsung DDR4, 8ГБ, 2666МГц, PC4-21300 Модуль памяти Samsung DDR4, 8ГБ, 2666МГц, PC4-21300
14 197
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
27 692

Избранное0