Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC

Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC 10044800₽
  • тип: DDR4
  • форм-фактор: LRDIMM
  • количество модулей в комплекте: 1 шт.
  • объем одного модуля: 64 ГБ
  • тактовая частота: 2400 МГц
Все характеристики

100 448

Характеристики

тип
DDR4
форм-фактор
LRDIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
64 ГБ
тактовая частота
2400 МГц
пропускная способность
PC19200
cl
17
trcd
17
trp
17
количество чипов каждого модуля
36
напряжение питания
1.2 В
количество рангов
4
количество контактов
288
упаковка чипов
двусторонняя
особенности
ECC, Registered
дополнительная информация
предназначена для серверов
гарантийный срок
1 г.

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
4 241
Foxline Foxline
3 146
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 192
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
6 612
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
8 618
Patriot Signature Patriot Signature
3 101
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
2 918
Patriot Viper Blackout Patriot Viper Blackout
9 211

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
12 180
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY
85 009
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 100
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
17 700
Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-12800 Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-1...
3 853
Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, CL40, M425R1GB4BB0-CQK0L OEM Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, C...
10 623
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
5 457
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
23 348
Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 year, OEM (M425R4GA3BB0-CQK) Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 yea...
28 511
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM) Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB...
19 225
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
24 067
Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM
46 600
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
24 067

Избранное0