Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0

Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0 344000₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR3L
  • объем одного модуля: 4 ГБ
  • тактовая частота: 1600 МГц
  • форм-фактор: SODIMM
Все характеристики

3 440

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR3L
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
1600 МГц
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
11
особенности
Unregistered, игровая, для imac, для imac, для macbook, для macbook, для моноблока, для моноблока, для ноутбука, для ноутбука
линейка
Basic
пропускная способность
PC12800
trcd
11
trp
11
tras
30
количество чипов каждого модуля
8
напряжение питания
1.35 В
количество рангов
2
количество контактов
204
упаковка чипов
двусторонняя
совместимость
intel, AMD
дополнительная информация
оперативная память ОЗУ DDR3L 4gb 1600/12800 SODIMM (PC3L 1.3v) для ноутбука подходит на модельный ряд 2011-2015й год иногда 2016

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
5 107
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
3 329
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
3 420
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 010
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
7 250
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
8 618
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
7 114
Patriot Signature Patriot Signature
2 964
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
4 150

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
2 688
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
20 970
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0 Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-C...
54 234
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A2K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A2K43EB1-CWED0
72 498
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
11 100
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB
8 000
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15
12 108
Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, CL40, M425R1GB4BB0-CQK0L OEM Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, C...
10 623
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
5 457
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM) Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB...
19 225
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
24 067
Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE) Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE)
267 149

Избранное0