Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-CKO
- тип: DDR3
- форм-фактор: SODIMM
- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 1600 МГц
Все предложения
В избранное
Характеристики
тип
DDR3
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
1600 МГц
пропускная способность
PC12800
cl
11
trcd
11
trp
11
количество чипов каждого модуля
16
напряжение питания
1.5 В
количество рангов
2
количество контактов
204
упаковка чипов
двусторонняя
особенности
Unregistered
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-CKO
Характеристики