Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73EB0-CK0D0

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73EB0-CK0D0 137000₽
  • тип: DDR3
  • форм-фактор: DIMM
  • количество модулей в комплекте: 1 шт.
  • объем одного модуля: 8 ГБ
  • тактовая частота: 1600 МГц
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип
DDR3
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
8 ГБ
тактовая частота
1600 МГц
пропускная способность
PC12800
cl
11
trcd
11
trp
11
напряжение питания
1.5 В
количество рангов
2
количество контактов
240
особенности
Unregistered
срок службы
435 дн., Не хранить в помещениях с повышенной влажностью.
гарантийный срок
435 дн., Гарантия на комплектующие не предоставляется.

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
9 348
Patriot Viper 3 Patriot Viper 3
3 101
Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
4 241
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 010
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 010
Patriot Signature Patriot Signature
3 010
Patriot Signature Patriot Signature
2 964
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
7 524
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7 Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7
3 440
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0...
4 570
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
18 245
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0...
3 440
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
5 200
Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-12800 Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-1...
3 853
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
11 100
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK
61 998
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
24 906
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
5 457
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE
11 241
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 520
Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM
46 600
Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE) Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE)
267 149
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
24 067

Избранное0