Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL2 M312L2828ET0-CA2

Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL2 M312L2828ET0-CA2 379000₽
  • тип: DDR
  • форм-фактор: DIMM
  • количество модулей в комплекте: 1 шт.
  • объем одного модуля: 1 ГБ
  • тактовая частота: 266 МГц
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип
DDR
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
1 ГБ
тактовая частота
266 МГц
пропускная способность
PC2100
cl
2
напряжение питания
2.5 В
количество контактов
184
особенности
ECC, Registered
гарантийный срок
1 г., На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Patriot Signature Patriot Signature
3 466
AMD Radeon R7 Performance AMD Radeon R7 Performance
3 192
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 420
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
2 736
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
2 918
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 101
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 977

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC
100 448
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY
85 009
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 100
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
40 400
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
17 700
Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
3 600
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15
12 108
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
24 906
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
5 457
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
23 348
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM) Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB...
19 225
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
24 067
Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC
8 000

Избранное0