Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL2 M312L2828ET0-CA2
- тип: DDR
- форм-фактор: DIMM
- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 1 ГБ
- тактовая частота: 266 МГц
Все предложения
В избранное
Характеристики
тип
DDR
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
1 ГБ
тактовая частота
266 МГц
пропускная способность
PC2100
cl
2
напряжение питания
2.5 В
количество контактов
184
особенности
ECC, Registered
гарантийный срок
1 г., На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
Отзывы
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL2 M312L2828ET0-CA2
Характеристики