Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL2.5 M312L2920BTS-CB0

Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL25 M312L2920BTS-CB0 732500₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR
  • объем одного модуля: 1 ГБ
  • тактовая частота: 266 МГц
  • форм-фактор: DIMM
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR
объем одного модуля
1 ГБ
тактовая частота
266 МГц
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
2.5
особенности
ECC, Registered
пропускная способность
PC2100
напряжение питания
2.5 В
количество контактов
184

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 241
Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
4 241
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 739
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
5 107
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
6 612
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 010
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
3 238
Patriot Viper Blackout Patriot Viper Blackout
9 211
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 977

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
2 688
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
18 245
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
12 180
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0...
3 440
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
5 200
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0 Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-C...
54 234
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 100
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
2 841
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
5 073
Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-12800 Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-1...
3 853
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
5 457
Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M
18 980
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE
11 241

Избранное0