Оперативная память Samsung Оперативная память Samsung M312L6420ETS-CA2 DDR 512Mb

Оперативная память Samsung Оперативная память Samsung M312L6420ETS-CA2 DDR 512Mb 1583000₽
  • тип: DDR
  • форм-фактор: DIMM
  • количество модулей в комплекте: 1
  • объем одного модуля: 0.5 ГБ
  • тактовая частота: 266 МГц
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип
DDR
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1
объем одного модуля
0.5 ГБ
тактовая частота
266 МГц
пропускная способность
PC2100
cl
2.5
напряжение питания
2.5 В
количество контактов
184
особенности
ECC, буферизованная (Registered)

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
4 241
AMD Radeon R7 Performance AMD Radeon R7 Performance
3 192
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
3 238
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
8 618
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
7 114
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 192
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 785
Patriot Viper Blackout Patriot Viper Blackout
9 211

Модули памяти Samsung

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 1600MHz (PC3L-12800), 1.35V, 204-Pin, Retail Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 160...
5 457
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC
100 448
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
12 180
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
5 200
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 100
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
2 841
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO
55 100
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
5 073
Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-12800 Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-1...
3 853
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15
12 108
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
5 457
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
24 067
Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE) Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE)
267 149
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
24 067

Избранное0