Оперативная память Samsung 512 МБ DDR 400 МГц DIMM CL2.5 M312L6420EZ0-CB3

Оперативная память Samsung 512 МБ DDR 400 МГц DIMM CL25 M312L6420EZ0-CB3 554000₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR
  • объем одного модуля: 0.5 ГБ
  • тактовая частота: 400 МГц
  • форм-фактор: DIMM
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR
объем одного модуля
0.5 ГБ
тактовая частота
400 МГц
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
2.5
особенности
ECC, Registered
пропускная способность
PC3200
напряжение питания
2.5 В
количество контактов
184

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
4 241
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 739
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
4 241
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
5 107
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
6 931
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 010
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 058
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
4 378
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
8 618

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
18 245
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
5 200
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL19 M378A1G44AB0-CWED0
10 725
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A2K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A2K43EB1-CWED0
72 498
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO
55 100
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
40 400
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
17 700
Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-12800 Оперативная память DDR3L 4Gb 1600 Mhz Samsung M471B5173DB0-YK0 So-Dimm PC3L-1...
3 853
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
11 100
Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
3 600
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
24 906
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
5 457
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
24 067
Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC
8 000

Избранное0