Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM M378B5773QB0-CK0D0

Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM M378B5773QB0-CK0D0 333500₽
  • тип: DDR3
  • форм-фактор: DIMM
  • количество модулей в комплекте: 1
  • объем одного модуля: 2 ГБ
  • тактовая частота: 1600 МГц
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип
DDR3
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1
объем одного модуля
2 ГБ
тактовая частота
1600 МГц
пропускная способность
PC12800
количество чипов каждого модуля
16
напряжение питания
1.5 В
количество рангов
2
количество контактов
240
упаковка чипов
двусторонняя

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 010
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
2 736
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
4 104
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 420
Patriot Signature Patriot Signature
3 010
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
7 114
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
7 524
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
2 918
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 101

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
2 688
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0...
4 570
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY
85 009
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
2 841
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
40 400
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
11 100
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB
8 000
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK
61 998
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15
12 108
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
24 906
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
23 348
Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 year, OEM (M425R4GA3BB0-CQK) Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 yea...
28 511
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 520
Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE) Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE)
267 149

Избранное0