Оперативная память Samsung 512 МБ DDR 266 МГц SODIMM CL2.5 M470L6423EN0-CB0
- тип: DDR
- форм-фактор: SODIMM
- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 0.5 ГБ
- тактовая частота: 266 МГц
Все предложения
В избранное
Характеристики
тип
DDR
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
0.5 ГБ
тактовая частота
266 МГц
пропускная способность
PC2100
cl
2.5
напряжение питания
2.5 В
количество контактов
200
особенности
Unregistered
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Samsung 512 МБ DDR 266 МГц SODIMM CL2.5 M470L6423EN0-CB0
Характеристики
