Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B2874DZ1-CF8

Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B2874DZ1-CF8 270500₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR3
  • объем одного модуля: 1 ГБ
  • тактовая частота: 1066 МГц
  • форм-фактор: SODIMM
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR3
объем одного модуля
1 ГБ
тактовая частота
1066 МГц
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
7
особенности
Unregistered
пропускная способность
PC8500
напряжение питания
1.5 В
количество рангов
2
количество контактов
204

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 3 Patriot Viper 3
3 010
Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
9 348
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
2 736
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
4 651
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
7 114
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 602
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 192
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 785

Модули памяти Samsung

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 1600MHz (PC3L-12800), 1.35V, 204-Pin, Retail Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8ГБ Samsung M471B1G73DB0-YK0 160...
5 457
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7 Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7
3 440
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
18 245
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
20 970
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 100
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO
55 100
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
17 700
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
5 073
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB
8 000
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK
61 998
Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
3 600
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE
11 241
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
24 067
Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC
8 000
Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE) Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE)
267 149

Избранное0