Оперативная память Samsung Оперативная память Samsung M471B5173QH0-YK0 DDRIII 4Gb

Оперативная память Samsung Оперативная память Samsung M471B5173QH0-YK0 DDRIII 4Gb 732500₽
  • тип памяти: DDR3L
  • форм-фактор: SODIMM 204-контактный
  • тактовая частота: 1600 МГц
  • пропускная способность: 12800 МБ/с
  • объем: 1 модуль 4 ГБ
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип памяти
DDR3L
форм-фактор
SODIMM 204-контактный
тактовая частота
1600 МГц
пропускная способность
12800 МБ/с
объем
1 модуль 4 ГБ
поддержка ecc
нет
поддержка xmp
нет
буферизованная (registered)
нет
низкопрофильная (low profile)
нет
cas latency (cl)
11
ras to cas delay (trcd)
11
row precharge delay (trp)
11
activate to precharge delay (tras)
35
количество чипов каждого модуля
8, двусторонняя упаковка
напряжение питания
1.35 В
количество ранков
1

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
4 241
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 739
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
5 107
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
4 013
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 192
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 010
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
3 238
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
4 651
Patriot Signature Patriot Signature
3 420

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
2 688
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0...
4 570
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1-CWEDY
85 009
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0 Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-C...
54 234
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
2 841
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
17 700
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
5 073
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB
8 000
Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, CL40, M425R1GB4BB0-CQK0L OEM Модуль оперативной памяти Samsung SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, C...
10 623
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
5 457
Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 year, OEM (M425R4GA3BB0-CQK) Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 yea...
28 511
Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung DDR4, M378A2G43MX3-CTD, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 ...
24 067
Оперативная память DDR2 4Gb 800 Mhz Samsung M470T5267AZ3-CF7 PC2-6400 So-Dimm для ноутбука Оперативная память DDR2 4Gb 800 Mhz Samsung M470T5267AZ3-CF7 PC2-6400 So-Dimm...
10 100

Избранное0