Оперативная память Samsung 256 МБ DDR 600 МГц RIMM MR18R082GAN1-CG6

Оперативная память Samsung 256 МБ DDR 600 МГц RIMM MR18R082GAN1-CG6 890000₽
  • тип: DDR
  • форм-фактор: RIMM
  • количество модулей в комплекте: 1 шт.
  • объем одного модуля: 0.25 ГБ
  • тактовая частота: 600 МГц
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип
DDR
форм-фактор
RIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
0.25 ГБ
тактовая частота
600 МГц
пропускная способность
PC4800
особенности
ECC, Registered, радиатор

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 3 Patriot Viper 3
3 010
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Kingston HyperX Fury White Kingston HyperX Fury White
9 986
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 010
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
7 250
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
7 114
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 192
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 977

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0...
3 440
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 230
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A2K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A2K43EB1-CWED0
16 648
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
3 100
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600, CL9 9-9-9-24
6 416
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4, 8ГБ, 2666МГц, 260-pin, PC4-21300, CL19 19-...
14 197
Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM для ноутбука или MacBook Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM для ноутбука или MacBook
3 300
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE
12 834
Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 year, OEM (M425R4GA3BB0-CQK) Оперативная память Samsung DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz (M425R4GA3BB0-CQK) 1 yea...
47 988
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM) Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB...
13 025
Модуль памяти Samsung DDR4, 8ГБ, 2666МГц, PC4-21300 Модуль памяти Samsung DDR4, 8ГБ, 2666МГц, PC4-21300
14 197
Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM Модуль памяти 32GB Samsung SO-DIMM DDR5 5600Mhz M425R4GA3BB0-CWM
56 455
Оперативная память DDR2 4Gb 800 Mhz Samsung M470T5267AZ3-CF7 PC2-6400 So-Dimm для ноутбука Оперативная память DDR2 4Gb 800 Mhz Samsung M470T5267AZ3-CF7 PC2-6400 So-Dimm...
9 405

Избранное0