Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43DB1-CWEDY

Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43DB1-CWEDY 220000₽
  • тип: DDR4
  • форм-фактор: SODIMM
  • количество модулей в комплекте: 1 шт.
  • объем одного модуля: 8 ГБ
  • тактовая частота: 3200 МГц
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

тип
DDR4
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
8 ГБ
тактовая частота
3200 МГц
пропускная способность
PC25600
cl
22
trcd
22
trp
22
количество чипов каждого модуля
8
напряжение питания
1.2 В
количество рангов
1
количество контактов
260
упаковка чипов
двусторонняя
особенности
Registered, Unregistered, NON-ECC, Unbuffered, Registered, Unregistered, NON-ECC, Unbuffered
срок службы
1 г., Не хранить в помещениях с повышенной влажностью.
гарантийный срок
1 г.

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston HyperX Fury White Kingston HyperX Fury White
9 986
Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
9 348
Foxline Foxline
3 146
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
7 250
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Patriot Signature Patriot Signature
2 964
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
7 524
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
2 918
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 192
Patriot Viper Blackout Patriot Viper Blackout
9 211

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC
100 448
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
2 688
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
12 180
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
20 970
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0 Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-C...
54 234
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 100
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB
8 000
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R1GB4BB0-CQK
61 998
Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
3 600
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15
12 108
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
23 348
Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M
18 980
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 520
Оперативная память DDR2 4Gb 800 Mhz Samsung M470T5267AZ3-CF7 PC2-6400 So-Dimm для ноутбука Оперативная память DDR2 4Gb 800 Mhz Samsung M470T5267AZ3-CF7 PC2-6400 So-Dimm...
10 100

Избранное0