Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3 1333 МГц RDIMM CL9 M392B2G70BM0-YH9

Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3 1333 МГц RDIMM CL9 M392B2G70BM0-YH9 630000₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR3
  • объем одного модуля: 16 ГБ
  • тактовая частота: 1333 МГц
  • форм-фактор: DIMM
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR3
объем одного модуля
16 ГБ
тактовая частота
1333 МГц
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
cl
9
особенности
ECC, Registered, низкопрофильная (Low Profile)
пропускная способность
PC10600
напряжение питания
1.35 В
количество рангов
4
количество контактов
240

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 4 Patriot Viper 4
9 348
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Foxline Foxline
3 146
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 420
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
3 238
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
4 651
Patriot Signature Patriot Signature
3 010
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
7 524
Crucial Crucial
8 071

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7 Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663EH3-CF7
3 440
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
18 245
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0...
3 440
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE
20 970
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
5 200
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0 Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M378A4G43AB2-C...
54 234
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO
55 100
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
17 700
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
5 073
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
23 348
Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M
18 980
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
3 520
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
24 067

Избранное0