Оперативная память Samsung DDR 266 МГц DIMM M312L3310ETS-CB0Q0
- тип: DDR
- форм-фактор: DIMM
- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 0.25 ГБ
- тактовая частота: 266 МГц
Все предложения
В избранное
Характеристики
тип
DDR
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
0.25 ГБ
тактовая частота
266 МГц
пропускная способность
PC2100
количество контактов
184
особенности
ECC, Registered
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Samsung DDR 266 МГц DIMM M312L3310ETS-CB0Q0
Характеристики
