Оперативная память Samsung DDR 266 МГц DIMM CL2.5 M312L5128MT0-CB0
- тип: DDR
- форм-фактор: DIMM
- количество модулей в комплекте: 1 шт.
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 266 МГц
Все предложения
В избранное
Характеристики
тип
DDR
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
266 МГц
пропускная способность
PC2100
cl
2.5
trcd
3
trp
3
напряжение питания
2.5 В
количество контактов
184
особенности
ECC, Registered
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Samsung DDR 266 МГц DIMM CL2.5 M312L5128MT0-CB0
Характеристики