Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR 266 МГц DIMM M312L5628BT0-CB0
- производитель: Samsung
- тип: DDR
- объем одного модуля: 2 ГБ
- тактовая частота: 266 МГц
- форм-фактор: DIMM
Все предложения
В избранное
Характеристики
производитель
Samsung
тип
DDR
объем одного модуля
2 ГБ
тактовая частота
266 МГц
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
особенности
ECC, Registered
пропускная способность
PC2100
напряжение питания
2.5 В
количество контактов
184
Отзывы
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR 266 МГц DIMM M312L5628BT0-CB0
Характеристики