Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11
- тип: DDR3
- форм-фактор: DIMM
- количество модулей в комплекте: 1
- объем одного модуля: 4 ГБ
- тактовая частота: 1600 МГц
Все предложения
В избранное
Характеристики
тип
DDR3
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1
объем одного модуля
4 ГБ
тактовая частота
1600 МГц
пропускная способность
PC12800
cl
11
trcd
11
trp
11
напряжение питания
1.5 В
количество контактов
240
упаковка чипов
двусторонняя
особенности
ECC, буферизованная (Registered)
Оставить отзыв о товаре
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11
Характеристики
