Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM)

Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 11 V M425R1GB4BB0-CWM 1922500₽
  • тип: DDR5
  • форм-фактор: SODIMM
  • количество модулей в комплекте: 1 шт.
  • объем одного модуля: 8 ГБ
  • тактовая частота: 5600 МГц
Все характеристики

19 225

Характеристики

тип
DDR5
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
8 ГБ
тактовая частота
5600 МГц
пропускная способность
PC44800
cl
40
количество чипов каждого модуля
4
напряжение питания
1.1 В
количество рангов
1
упаковка чипов
односторонняя
гарантийный срок
1 г.

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
3 329
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
6 612
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
7 250
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 384
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 420
Patriot Signature Patriot Signature
3 101
Patriot Signature Patriot Signature
2 964
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
2 918
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 192

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC
100 448
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
18 245
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
12 180
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
5 200
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
9 900
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO
55 100
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4
17 700
Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v Оперативная память Samsung 4 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
3 600
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15
12 108
Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39 Модуль памяти Samsung DIMM DDR4, 16ГБ, 2400МГц, PC4-19200, CL17 17-17-17-39
23 348
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB4BB0-CWM) Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR5 8GB 5600MHz PC5-44800 1.1 V (M425R1GB...
19 225
Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC Оперативная память SODIMM 8GB DDR4-2400 Samsung M471A1K43BB1-CRC
8 000
Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE) Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE)
267 149
Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300, CL19 19-19-19-43 Модуль памяти Samsung SODIMM M471A1G43EB1-CTD, DDR4, 16ГБ, 2666МГц, PC4-21300...
24 067

Избранное0