Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE

Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL19 M471A2K43DB1-CWE 1600000₽
  • производитель: Samsung
  • тип: DDR4
  • объем одного модуля: 16 ГБ
  • тактовая частота: 3200 МГц
  • форм-фактор: SODIMM
Все характеристики

16 000

Характеристики

производитель
Samsung
тип
DDR4
объем одного модуля
16 ГБ
тактовая частота
3200 МГц
форм-фактор
SODIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
особенности
Unregistered
пропускная способность
PC25600
количество чипов каждого модуля
16
напряжение питания
1.2 В
количество рангов
2
количество контактов
260
упаковка чипов
двусторонняя

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston HyperX Fury White Kingston HyperX Fury White
9 986
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 739
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
3 192
Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
7 250
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
6 749
Patriot Signature Line Patriot Signature Line
6 384
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
8 618
Patriot Signature Patriot Signature
6 749
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
4 150

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-YK0 Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0...
3 200
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
5 120
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
18 245
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0 Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
6 200
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
3 440
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
3 100
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM M471A1K43BB0-CPB
16 720
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15
4 879
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43BB1-CRC Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43BB1-CRC
16 000
Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM для ноутбука или MacBook Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM для ноутбука или MacBook
3 300
Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M Оперативная память Samsung DDR3 DIMM CL13 M393B2G70DB0-CMAQ2M
9 070
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1G44BB0-CWE
7 500
Оперативная память DDR3L 16 гб Samsung комплект два модуля 8 + 8 гб 1600 мГц 12800 мбс SO-DIMM Оперативная память DDR3L 16 гб Samsung комплект два модуля 8 + 8 гб 1600 мГц ...
7 200
Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD) Модуль памяти Samsung DDR2 4GB 2Rx4 PC2-6400U-666-12-E3 (для AMD)
4 091
Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM
10 507

Избранное0