Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL21 M378A1K43EB2-CWEDY

Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL21 M378A1K43EB2-CWEDY 245700₽
  • линейка: Basic
  • тип: DDR4
  • форм-фактор: DIMM
  • количество модулей в комплекте: 1 шт.
  • объем одного модуля: 8 ГБ
Все характеристики
Все предложения

Характеристики

линейка
Basic
тип
DDR4
форм-фактор
DIMM
количество модулей в комплекте
1 шт.
объем одного модуля
8 ГБ
тактовая частота
3200 МГц
пропускная способность
PC25600
cl
21
trcd
21
trp
21
tras
21
количество чипов каждого модуля
8
напряжение питания
1.2 В
количество рангов
1
количество контактов
288
упаковка чипов
двусторонняя
особенности
ECC, Registered, Unregistered, ECC, Registered, Unregistered
дополнительная информация
Планка памяти - 1 шт
срок службы
435 дн., Не хранить в помещениях с повышенной влажностью.
гарантийный срок
1 г., Гарантия производителя

Оставить отзыв о товаре

Общая оценка

Добавьте фото

Похожие товары

Kingston ValueRAM Kingston ValueRAM
3 876
Patriot Viper 3 Patriot Viper 3
3 101
Patriot Signature Patriot Signature
3 420
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
4 241
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
3 420
Patriot Viper Steel Patriot Viper Steel
3 420
Patriot Viper 4 Steel Patriot Viper 4 Steel
2 736
Patriot Viper 4 Blackout Patriot Viper 4 Blackout
4 104
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 420
Patriot Signature Line Premium Patriot Signature Line Premium
3 101

Модули памяти Samsung

Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2400 МГц LRDIMM CL17 M386A8K40BM1-CRC
100 448
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
2 146
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL17 M471A5244CB0-CWED
4 499
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
8 000
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
3 230
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273EB0-CK0
3 440
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8 000
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40CB2-CTD8Q
40 400
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73BH0-CK0
3 100
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
28 655
Модуль памяти Samsung DDR4, 8ГБ, 2666МГц, PC4-21300 Модуль памяти Samsung DDR4, 8ГБ, 2666МГц, PC4-21300
14 197
Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 (M471A1K43EB1-CWE) Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 (M471A1K43EB1-CWE)
9 447
Оперативная память DDR2 4Gb 800 Mhz Samsung M470T5267AZ3-CF7 PC2-6400 So-Dimm для ноутбука Оперативная память DDR2 4Gb 800 Mhz Samsung M470T5267AZ3-CF7 PC2-6400 So-Dimm...
9 405
Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE) Оперативная память DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Reg (M393A4K40EB3-CWE)
182 529
Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM Оперативная память SODIMM 8GB DDR5-5600 Samsung M425R1GB4PB0-CWM
17 500

Избранное0